Les capacités de la diode à jonction PN
1. La capacité de transition
Nous avons bien remarqué que La jonction PN est constituée de 2 charges opposées immobiles. Il s’agit d’un
condensateur à électrodes plates. Sa capacité appelée capacité de transition ou capacité de barrière est donnée
par la formule :
CT = (ε0εrS)/d
S: la surface de la jonction
d: la distance de la jonction
ε0: la permittivité du vide
εr : la permittivité relative du semi-conducteur
Si NA>>ND,
Il faut noter que la capacité de transition est proportionnelle à la surface de la jonction S et à la conductivité de la base. Elle dépend largement de la tension VD et de la température. Voici la représentation de la courbe de dépendance de capacité de transition CT et de la tension VD.
2. La capacité de diffusion
Si on polarise une diode en sens direct, il y aura un déplacement de trous de l’anode vers la cathode et un
déplacement d’électrons de la cathode vers l’anode.
Après un temps τp (temps de vie de trous), les trous passés dans la cathode vont se recombiner avec les électrons
de celle-ci. Et en un temps τn (temps de vie des électrons), les électrons passés dans l’anode vont se recombiner
avec les trous de celle-ci. Donc il y aura toujours une charge positive dans la cathode et une charge négative
dans l’anode qui sont composées des porteurs non recombinés : C’est ce qu’on appelle capacité de diffusion CD.
Mais vu que NA >>ND, on a IDp >> IDn et τp >> τn
alors ID = IDp + IDn = IDp
@+ Filou